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【2h】

Anderson localization and topological transition in Chern insulators

机译:安德森在陈氏绝缘子中的定位和拓扑过渡

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摘要

We analyse the topological transition and localization evolution ofdisordered two dimensional systems with non trivial topology based on bipartitelattices. Chern insulators with broken time reversal symmetry show non standardbehavior for disorder realizations selectively distributed on only one of thesublattices. The Chern number survives to a much stronger disorder strength(one order of magnitude higher) than in the equally distributed disordered caseand the final state in the strongly disordered case is metallic.
机译:我们基于二分格分析了具有非平凡拓扑的无序二维系统的拓扑转变和局部演化。具有逆转时间破坏对称性的Chern绝缘子表现出非标准的行为,对于选择性地分布在仅一个子晶格上的无序实现。与均匀分布的无序情况相比,Chern数的无序强度要强得多(高一个数量级),而在无序情况下,最终状态是金属。

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